Варизонные полупроводники и гетероструктуры

Учебное пособие. Санкт-Петербург.: Изд-во Наука, 2000, 100 с.Содержание.
Введение.
Основные обозначения.
Глава 1 Энергетические диаграммы полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом и полупроводниковых структур.
1.1. Классификация полупроводников и структур на их осно­ве.
1.2. Неоднородные полупроводники и гомоструктуры.
1.3. Варизонные полупроводники.
1.4. Варизонный полупроводник—гетероструктура.
1.5. Модели гетероперехода.
1.6. Построение энергетической диаграммы гетероструктуры.
1.7. Расчет потенциала в резком переходе в приближении Шоттки.
1.7.1. Анизотипный гетеропереход.
1.7.2. Изотипный гетеропереход.
1.8. Диполь на границе раздела материалов.
1.9. Энергетическая диаграмма контакта металл—полупровод­ник.
Глава 2 Токи в структурах с р — n-гетеропереходом.
2.1. Составляющие тока в структуре с р—n-переходом.
2.2. Инжекция и суперинжекция носителей в р—n-гетероструктуре.
2.3. Ток надбарьерной эмиссии идеального р — n-гетеропере­хода.
2.4. Емкость и вольт-фарадная характеристика идеального р —n-гетероперехода.
2.5. Особенности токопротекания в структурах с неидеаль­ным гетеропереходом.
2.5.1. Инжекционный ток и емкость неидеального пере­хода.
2.5.2. Туннелирование через «пичок».
2.5.3. Токи через состояния на границе раздела матери­алов.
Глава 3 Выпрямление тока на контакте металл—полупроводник.
3.1. Эмиссия электронов из полупроводника в металл.
3.2. Диодная теория выпрямления, емкость запорного кон­такта.
3.3. Диффузионная теория выпрямления.
3.4. Вольт-амперная характеристика реального контакта МП.
Глава 4 Использование варизонных слоев и гетероструктур в приборах.
4.1. Приборные структуры с варизонными слоями.
4.2. Гетероструктуры в полупроводниковой электронике.
4.3. Светоизлучающие приборы на основе гетероструктур.
4.4. Приемники излучения на основе гетероструктур.
Приложение 1. Параметры некоторых полупроводниковых материалов при комнатной температуре (300 К).
Приложение 2. Электроотрицательность химических элементов (эВ), входящих в состав полупроводниковых материалов.
Приложение 3. Работа выхода из металлов.
Литература.